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P沟道MOS管-P溝道MOS管型號、参数及工作原理-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-07-17 

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場效應管的参数

① 开启电压VGS(th) (或VT)

开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,場效應管不能导通

② 夹断电压VGS(off) (或VP)

夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零

③ 饱和漏极电流IDSS

耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流

④ 输入电阻RGS

場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于結型場效應三極管,反偏時RGS約大于107Ω,對于絕緣柵場型效應三極管,RGS約是109~1015Ω

⑤ 低频跨导gm

低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用,這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉移特性曲線上求取,單位是mS(毫西門子)

⑥ 最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型三极管的PCM相当


P溝道MOS管型號

Part Numbe

IDA

BVDSSV

RDSON)(Ω)

Package

KIA2301

-2.8

-20

0.12

SOT-23

KIA2305

-3.5

-20

0.055

SOT-23

KIA3401

-4

-30

0.06

SOT-23

KIA3407

-4.1

-30

0.06

SOT-23

KIA3409

-2.6

-30

0.13

SOT-23

KIA3415

-4

-16

0.045

SOT-23

KIA3423

-2

-20

0.092

SOT-23

KIA4953

-5.3

-30

0.063

SOP-8

KIA9435

-5.3

-30

0.06

SOP-8

KIA7P03A

-7.5

-30

0.018

SOP-8

KIA4435

-10.5

-30

0.018

SOP-8



Part Numbe

IDA

VDSSv

內阻(小)

內阻(大)

ciss

Package

pF

KIA23P10A

-23

-100

0.95

0.078

3029

TO-252

KIA35P10A

-35

-100

0.055

0.042

4920

TO-252

KPD8610A

-35

-100

0.055

0.042

6516

TO-252


N溝道MOS管部分型號

Part Numbe

IDA

VDSSv

內阻(小)

內阻(大)

ciss

Package

pF

KIA9N90H

9

900

1.4

1.12

2780

TO-247

KAI18N50H

18

500

0.32

0.25

2500

TO-247

KIA20N50H

20

500

0.26

0.21

2700

TO-247

KIA24N50H

24

500

0.2

0.16

3500

TO-247

KIA3306A

80

60

0.008

0.007

3390

TO-247

KNM3308A

80

80

0.09

0.0062

3110

TO-247

KIA2906A

130

60

0.007

0.0055

3100

TO-247

KIA2807N

150

75

0.006

0.005

7200

TO-247

KIA2808A

150

80

0.0045

0.004

6109

TO-247

KIA2806A

160

40

0.0045

0.0035

4376

TO-247

KIA2804A

190

60

0.0035

0.0022

4800

TO-247

KIA2N60H

2

600

5

4.1

200

TO-220F

KIA3N80H

3

800

4.8

4

543

TO-220F

KNF4360A

4

600

2.3

1.9

511

TO-220F

KIA4N60H

4

600

2.7

2.3

500

TO-220F

KIA730H

6

400

1

0.83

520

TO-220F

KIA9N90H

9

900

1.4

1.12

2780

TO-3P

KIA10N80H

10

800

1.1

0.85

2230

TO-3P

KIA16N50H

16

500

0.38

0.32

2200

TO-3P

KIA18N50H

18

500

0.32

0.25

2500

TO-3P

KIA20N40H

20

400

0.25

0.2

2135

TO-3P

KIA20N50H

20

500

0.26

0.21

2700

TO-3P

KIA24N50H

24

500

0.2

0.16

3500

TO-3P

KNH8150A

30

500

0.065

0.15

4150

TO-3P

KNH9120A

40

200

0.1

0.05

2800

TO-3P


P溝道MOS管工作原理

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为衔接源极和漏极的沟道。改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上恰当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管阈值電壓的絕對值普通偏高,懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)呈現之後,多數已爲NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價錢低價,有些中範圍和小範圍數字控制電路仍采用PMOS電路技術。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,適宜用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,固然PMOS可以很便當地用作高端驅動,但由于導通電阻大,價錢貴,交流種類少等緣由,在高端驅動中,通常還是運用NMOS。

正常工作時,P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連,而漏心極的電壓Vds應爲負值,以保證兩個P區與襯底之間的PN結均爲反偏,同時爲了在襯底頂表面左近構成導電溝道,柵極對源極的電壓Vgs也應爲負。

1.Vds≠O的情況導電溝道構成以後,DS間加負向電壓時,那麽在源極與漏極之間將有漏極電流Id流通,而且Id隨Vds而增加.Id沿溝道産生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等,該電壓削弱了柵極中負電荷電場的作用,使溝道從漏極到源極逐漸變窄.當Vds增大到使Vgd=Vgs(TH),溝道在漏極左近呈現預夾斷.

2.導電溝道的構成(Vds=0)當Vds=0時,在柵源之間加負電壓Vgs,由于絕緣層的存在,故沒有電流,但是金屬柵極被補充電而聚集負電荷,N型半導體中的多子電子被負電荷排斥向體內運動,表面留下帶正電的離子,構成耗盡層,隨著G、S間負電壓的增加,耗盡層加寬,當Vgs增大到一定值時,襯底中的空穴(少子)被柵極中的負電荷吸收到表面,在耗盡層和絕緣層之間構成一個P型薄層,稱反型層,這個反型層就構成漏源之間的導電溝道,這時的Vgs稱爲開啓電壓Vgs(th),Vgs到Vgs(th)後再增加,襯底表面感應的空穴越多,反型層加寬,而耗盡層的寬度卻不再變化,這樣我們可以用Vgs的大小控制導電溝道的寬度。



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