深圳市可易亚半导体科技有限公司

國家高新企業

cn en

新聞中心

mos管電壓規格是什麽,什麽是VMOS管柵極

信息來源:本站 日期:2017-07-31 

分享到:

電壓規格:VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

VDSS中的“V”表示电压,前面的“D”、“S”表示“Drain”(漏极)与“Source”(源极),最后一个“s”表示“Short”(短路)。VDSS的具体含义是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”,中文含义是“栅极与源极短接时,漏极与源极问能够承受的最大电压”。有时候也称为“零栅压最大漏源电压”。


—-直稱之爲“電壓規格”,之後我們還將這樣稱呼它,既簡單又明了,同時還給它另一個稱呼:耐壓,這符合行業習慣。因爲超過電壓規格,VMOS就可能被擊穿損壞,因此電壓規格有時候也稱爲“零柵壓擊穿電壓”。


BVDSS(漏源擊穿電壓)的含義雖然與VDSS略有差異,但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS爲額定值,BVDSS給出的是最小值,所謂數值相同,是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。由此可以看出來,VDSSV是側重于測量的一個參數,BVDSS是側重于電路應用的參數。

VDSS、VDS的含義相同,BVDSS、V(BR)DSS的含義相同,只是不同制造商的應用習慣有所不同。但是VDS也常常用來表示源極與漏極之間的實際電壓而不是極限的擊穿電壓,因此爲了避免歧義,采用的是VDSS。


很顯然,VDSS表示的是VMOS在關斷條件下承受正向電壓的能力。在關斷條件下,VMOS的柵極—源極間的偏置不外乎四種情況(圖3.1)。


反向偏置指的是讓VMOS關斷程度加深的偏置電壓,對于N溝道VMOS,顯然是柵極電壓低于源極電壓的情況;P溝道則相反。這種方式在高頻條件下比零柵壓更爲可靠,在實際的高頻電路中,尤其是希望VMOS迅速關斷的電路中,這種負柵壓的偏置方法會經常出現。


旁路( Shunt)方法是希望VMOS的关断不要像反向偏置那么快,在常态下,与零栅压是相当的,未开封的新模块上常常会配置旁路电阻,以保护模块不会被静电击穿。在有些高速电路中,为了减小电路中的电流变化速度,也会采用旁路栅极的方法。旁路的另一个作用是,使VMOS的输入电阻不至于过高,有了旁路电阻,VMOS的输人电阻就大致等于旁路电阻的阻值。


对于VMOS而言,栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的,稍有不慎,就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿,而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS,零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的;对于槽栅结构的VMOS,零栅压情况下测得的击穿电压最高。因此,VDSS表示的是VMOS在关断条件下承受正向电压的最高能力。


圖3.1中的可調電流源”指的是限流電路,保證回路電流不超過某一設定值,“可調電壓源”就比較容易理解了。這兩種電源符號在測試晶體管的電路中會經常出現。


關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

長按二維碼識別關注