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如何構建一個可以控制溝道電流的柵極(區)呢!其實很簡單!

信息來源:本站 日期:2017-07-28 

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場效應管的简单分类:JFET与MOSFET

如何構建一個可以控制溝道電流的柵極(區)呢?

目前大致有兩種辦法,一種是用兩個相同的半導體构建栅区,这两个栅区就像水龙头的阀芯与阀座,所不同的是,阀座是固定的,而两个栅区都是“挪动”的,即两个栅区同时控制导电通道的宽窄大小从而控制流过通道的电流的大小,控制办法是应用电场构成根本不导电的“耗尽区”,功用构造如图1.9所示。这种构造的FET就是JFET(Junction gate FET),由于沟道的不同,有N沟道JFET(NJFET)和P沟道JFET(PJFET)之分,其沟道分别为N型和P型半導體。N沟道JFET的构造简图如图1.9所示,关于P沟道,只需求将N与P对调即可。

所谓“耗尽区”(Depletion Region),就是两个不同性质的半導體的分界面两侧左近的区域,由于电场的吸收作用,载流子(自在电子和空穴)分别被两侧的半導體区域“耗费”殆尽了。耗尽区根本个导电,属于高阻区(电阻比拟高的区域)。

另一种比JFET想象提出稍微早一些但是工程理论却略微迟一些的是下面的构造(图1. 10)。栅极(区)由金属板构成而不是半導體,徭要留意的是,无论是图1.9还是图1. 10,图中的纯黑区域是引线电极,是为了电极的引出而设的,即端电极,与之相连的才是功用电极,即实践的栅极、漏极与源极,由于它们实践上是一个区域,才有诸如“栅区”这样的称谓。


由于图1. 10所示的这种构造与JFET相比,主要的区别是金属层、氧化膜和“掺杂”的半導體,MOSFET的名字大致就是这样来的。与JFET 一样,由于导电沟道的不同,MOSFET也有N河道MOSFFET( NMOS)和P沟道MOS-FET(PMOS)两类,其沟道分别为N型和P型半導體,图1.10是N沟道JFET。关于P沟道,只需求将N与P对调即可。另外,PMOS和NMOS -般用于称谓集成电路中的器件单元,在普通分立元件的电路中很少这样称谓,有时分PMOS也是功率MOSFET(Power MOSFET)的简称。


图1.  10只是最初的构造,如今的功率MOSFET,其中金属层和金属酸化膜(氧化膜)曾经分别被多晶硅(Polysilicon)和Si0:(氧化膜)取代了,MOSFET称号中的“M”(Metal)与“O”(Oxide)曾经名存实亡了。MOSET也称为IGFET(In-sulated Gate Field Effect Transistor绝缘栅场效应晶体管),这个称号以今天的目光来看,更具有前瞻性,也更为适宜。

多晶硅并不是“导体”而是“半導體”,从这一点来看,JFET与MOSFET的区别经过一段时间的开展之后减小了,有点“异曲同工”的滋味。



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