6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V
MOS管 6N70H产品概述
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生産的。這個先進的技術是KIA半導體專門定制的。可以減少沖擊，提供優越的開關性能，能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖，這款産品非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正，基于半橋拓撲。
KIA6N70H産品特點
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷（典型16NC）
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高dv/dt能力
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数
型號：KIA6N70H
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
脉冲漏电流:20* A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重複雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns
漏源擊穿電壓:700V
MOS管 6N70H产品封装图
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V规格书
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