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KIA6N70H 5.8A/700V规格书下载-MOS管原厂供货 KIA原厂现货-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-05-28 

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6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V

MOS管 6N70H产品概述

這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生産的。這個先進的技術是KIA半導體專門定制的。可以減少沖擊,提供優越的開關性能,能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖,這款産品非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正,基于半橋拓撲。


KIA6N70H産品特點

RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V

低柵電荷(典型16NC)

高耐用性

快速切換

雪崩測試100%

提高dv/dt能力


MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数

型號:KIA6N70H

工作方式:5.8A/700V

漏源電壓:700V

脉冲漏电流:20* A

柵源電壓:±30V

單脈沖雪崩能量:150MJ

雪崩電流:4.8A

重複雪崩能量:9.5MJ

峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns

漏源擊穿電壓:700V


MOS管 6N70H产品封装图


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MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V规格书

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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