6N70H,KIA6N70H,5.8A/700V
MOS管 6N70H产品概述
這款功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生産的。這個先進的技術是KIA半導體專門定制的。可以減少沖擊,提供優越的開關性能,能承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖,這款産品非常適合于高效率開關電源、有源功率因數校正,基于半橋拓撲。
KIA6N70H産品特點
RDS(on)typ=1.8Ω@VGS=10V
低柵電荷(典型16NC)
高耐用性
快速切換
雪崩測試100%
提高dv/dt能力
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数
型號:KIA6N70H
工作方式:5.8A/700V
漏源電壓:700V
脉冲漏电流:20* A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能量:150MJ
雪崩電流:4.8A
重複雪崩能量:9.5MJ
峰值二极管恢复dv/dt:4.5 V/ns
漏源擊穿電壓:700V
MOS管 6N70H产品封装图
MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V规格书
查看及下載規格書,請點擊下圖。

聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公衆號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公衆號
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助