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NCE3080K可替代什么品牌MOS管型号-NCE3080K中文资料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-05-24 

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KNX3403A可替代NCE3080K

NCE3080和KNX3403A兩個型號爲低壓MOS管,KIA半導體是專業制造中、低、高壓MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K,接下來會寫出NCE3080和KNX3403A兩個型號的規格書、封裝、參數等。


低壓MOS管內阻特點

創新高壓技術

低柵極電荷

定期額定雪崩

較強dv/dt能力

高電流峰值


KIA半導體KNX3403A産品概述
(一)MOS管 KNX3403A 85A/30V参数

型號:KNX3403A

電流:85A

電壓:30V

漏至源電壓:30V

門到源電壓:±20V

脈沖漏電流測試:340A

雪崩電流:25A

雪崩能源:156MJ

接頭和儲存溫度範圍:-55℃至+175℃


(二)MOS管 KNX3403A特点

RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

無鉛綠色設備

降低導電損耗

高雪崩電流


(三)KNX3403A封裝


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(四)KNX3403A規格書

查看規格書,請點擊下圖。


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NCE3080K産品介紹
(一)NCE3080K産品概述

VDS=30V,ID=80A

RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

超低RDSON高密度電池設計

完全特征雪崩電壓和電流

良好的散熱包裝

高靜電放電性能的特殊工藝技術


(二)NCE3080K産品應用

電源切換應用

硬開關和高頻電路

不間斷電源


(三)NCE3080K産品參數詳情

漏源電壓:30V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:80A

脈沖漏電流:170A

最大功耗:83W

漏源擊穿電壓:30V

輸入電容:4700PF

輸出電容:4700PF

反向轉移電容:345PF


(四)NCE3080K封裝圖


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(五)MOS管 NCE3080K产品规格书

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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