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車載功放mos管选型表与MOS管生产厂家-MOS管功放優缺點解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-05-08 

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車載功放,mos管

車載功放

車載功放,就是车载影音系统中的音频功率放大器。功率放大器简称功放。


車載功放的分类

功率放大器可以按不同的用途分類:


1、有的汽车功率放大器是专门为推动低音扬声器设计的,如:健伍KAC—PS401M(14.4V,4欧姆),最大功率1200W x1。内置次声滤波器,省去了外接滤波器。


2、帶均衡器的功率放大器,如:索尼XM一604EQX。EQX備有的揚聲器有5段均衡器,可因個人喜好或不同的車廂空間調校音色。每一個EQX系列均有5種頻率供選擇。


3、5聲道功率放大器,如:索尼XM一405EQX、健伍KAC一859等,通常使用2聲道或4聲道功率放大器來推動前後揚聲器。低音揚聲器是用另一只功率放大器推動,這樣占用面積太大,而使用5聲道功率放大器,一塊功放就可以解決問題。


4、多片X卡功率放大器,如:来福punch 400.4。独特的X卡为功率放大器提供了几乎是无限多样的分音选择:高通、带通、低通,甚至是超音频的滤波器。它可以起到以一抵十的作用。


5、电子分音器模块式功率放大器,如:KICKER ZR360。这些控制模块是让你选定哪一种讯号会到功率放大器及到功率放大器的RCA输出,选定所需要的频率及分音点。通过更换模块,可以使一个功率放大器变成多样化的功率放大器使用。


車載功放,mos管


車載功放mos管选型

以下是車載功放mos管选型(需了解更多型号,请聯系我們)


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KIA50N06B

50

60

0.0105

0.012

2060

KIA2906A

130

60

0.0055

0.007

3100

KIA75NF75

80

80

0.007

0.009

3110

KNX3306A

80

60

0.007

0.0085

3390

KNX3306B

80

60

0.007

0.008

3080

KNX3206A

110

60

0.0065

0.008

3400


車載功放mos管厂家

深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA).是一家专业从事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端穩壓管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


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KIA现已经拥有了独立的研發中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户應用領域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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KIA半導體的産品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于産品的精細化與革新,力求爲客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技産品。


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从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为場效應管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


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MOS管功放優缺點解析

(一)優點

1、MOS 管功放具有鼓励功率小,输出功率大,输出漏极电流具有负温度系数,平安牢靠,且有工作频率高,偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL 的输入,到达抑止零点漂移的效果。


2、中音厚,沒有三極管那麽大的交越失真。

電流推進級通常由一至二級組成,爲了降低輸出阻抗、增加阻尼系數,常采用二級電流推進。爲了防止電流推進級産生開關失真,較好的作法是、采用MOS管並增大本級的靜態電流,這樣本級不會産生開關失真,由于任何狀況下電流推進級一直處于放大區,所以電流輸出級也一直處于放大區,因而輸出級同樣不會産生開關失真和交越失真。


3、MOS管的線性比晶體管好。


(二)缺點

1、低频的温和度比晶体管功放差,MOSFET开关場效應管容易被输出和输入过载损坏,MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但运用不久发现这种功放的牢靠性不高(无法外电路维护),开关速度进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。


90年代初,MOSFET的制造技術有了很大打破,呈現了一種高速MOSFET大功率開關場效應晶體管。西班牙藝格公司(ECLER)經多年研討,攻克了非毀壞性維護系統的SPM專利技術,推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優點分離的第3代功放産品,在歐洲市場上取得了認可,並逐漸在世界上得到了應用。


第3代MOSFET功放的中频和高频音质接近电子管功放,但低频的温和度比晶体管功放差一些,此外MOSFET开关場效應管容易被输出和输入过载损坏。


2、開啓電壓太高。


3、偏流開很大,還是有一定的交越失真,沒交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。


4、MOS管不好配對在同一批次管,相對來說要好配對一點。


5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法,把普通三極管功放裏的電壓推進三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。


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