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P型MOS管 N型MOS管型号选型手册-MOS管原厂制造 免费送样-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-24 

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P型MOS管

P型MOS管概述

P型MOS管是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的负电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。


P型MOS管的種類

MOSFET共有三個腳,一般爲G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像,所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說,NMOS是在P型矽的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區,作爲NMOS的源漏區;PMOS是在N型矽的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區,作爲PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱爲溝道長度L,而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱爲溝道寬度W。對于這種簡單的結構,器件源漏是完全對稱的,只有在應用中根據源漏電流的流向才能最後確認具體的源和漏。


P型MOS管原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因爲PMOS是N型矽襯底,其中的多數載流子是空穴,少數載流子是電子,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化矽中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端爲負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。


與NMOS一樣,導通的PMOS的工作區域也分爲非飽和區,臨界飽和點和飽和區。當然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區,其電壓條件是

VGS<VTN (NMOS),

VGS>VTP (PMOS),

值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。


PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規模大的集成電路。


P型MOS管


P型MOS管型號大全


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KPX4703A

-8

-30

0.019

0.024

1310

KIA23P10A

-23

-100

0.078

0.95

3029

KIA35P10A

-35

-100

0.042

0.055

4920

KPX8610A

-35

-100

0.042

0.055

6516

KIA3415

-4

-16

0.04

0.045

1450

KIA3423

-2

-20

0.076

0.092

512

KIA2301

-2.8

-20

0.105

0.120

415

KIA2305

-3.5

-20

0.045

0.055

1245

KIA3409

-2.6

-30

0.097

0.130

302

KIA3401

-4

-30

0.050

0.060

954

KIA3407

-4.1

-30

0.05

0.06

700

KIA9435

-5.3

-30

0.05

0.06

840

KIA7P03A

-7.5

-30

0.018

0.02

1345

KPE4703A

-8

-30

0.019

0.024

1310


P型MOS管原廠

深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体)是一家专业从事中大功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端穩壓管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


P型MOS管


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P型MOS管


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P型MOS管


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增強P型MOS管開關條件

pmos管作为开关使用时,是由Vgs的电压值来控制S(source源极)和 D(drain漏极)间的通断。

Vgs的最小阀值电压为:0.4v,也就是说当 S(source源极)电压 — G(gate栅极)极    > 0.4V 时, 源极 和 漏极导通。


并且Vs = Vd ,S极电压等于D极电压。

例如:S极 为 3.3V,G极 为0.1V,则  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管导通,D极电压为3.3V,一般pmos管當做開關使用的時,S極和D極之間幾乎沒有壓降。


在實際使用中,一般G極接MCU控制管腳,S極接電源正極VCC,D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下:


P型MOS管


RF_CTRL为低电平的时候,RF_RXD 和 RF_TXD上的电压为 VDD。


下面電路爲P溝道MOS管用作電路切換開關使用電路:


P型MOS管


電路分析如下:

pmos的開啓條件是VGS電壓爲負壓,並且電壓的絕對值大于最低開啓電壓,一般小功率的PMOS管的最小開啓電壓爲0.7V左右,假設電池充滿電,電壓爲4.2V,VGS=-4.2V,PMOS是導通的,電路是沒有問題的。當5V電壓時,G極的電壓爲5V,S極的電壓爲5VV-二極管壓降(0.5左右)=4.5V,PMOS管關段,當沒有5V電壓時,G極電壓下拉爲0V,S極的電壓爲電池電壓(假設電池充滿電4.2V)-MOS管未導通二極管壓降(0.5V)=3.7,這樣PMOS就導通,二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導通對負載供電。


在這裏用一個肖特基二極管(SS12)也可以解決這個問題,不過就是有0.3V左右的電壓降。這裏使用PMOS管,PMOS管完全導通,內阻比較小,優與肖特基,幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大,驅動PMOS不需要電流的,只要電壓達到就可以了,可以使用大電阻,減少工作電流,推薦使用10K-100K左右的電阻。


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