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開關電源mos管型號表大全-5种常用開關電源MOSFET驱动电路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-18 

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開關電源mos管型號

開關電源概述

开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。開關電源的输入多半是交流电源(例如市电)或是直流电源,而输出多半是需要直流电源的设备,例如个人电脑,而開關電源就进行两者之间电压及电流的转换。


開關電源mos管型號


開關電源mos管型號原厂

開關電源mos管型號供应商概述,深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端穩壓管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


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KIA半导体,已经拥有了独立的研發中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户應用領域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。


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强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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KIA半導體的産品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于産品的精細化與革新,力求爲客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技産品。


開關電源mos管型號


開關電源mos管型號表大全

以下是KIA半导体開關電源mos管型號表大全:


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

Package

pF

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

TO-252、220F、262

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

TO-252、TO-220F

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

TO-252

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

TO-220F

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

TO-252

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

TO-220F

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

TO-220、220F

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

TO-220F、262、263、220

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

TO-220F

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

TO-220F、3P、247

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

TO-220F、3P、247

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

TO-220F


5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但並不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的開關性能。


当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。


一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求:

(1)開關管開通瞬時,驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值,保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。


(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。


(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放,保證開關管能快速關斷。


(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。


(5)根據情況施加隔離。


(一)電源IC直接驅動MOSFET

開關電源mos管型號

图1 IC直接驱动MOSFET


电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。第二,了解一下MOSFET的寄生电容,如图 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即使把图 1中Rg减小,也不能解决问题! IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择,所以Rg并不能无限减小。


(二)電源IC驅動能力不足時

如果選擇MOS管寄生電容比較大,電源IC內部的驅動能力又不足時,需要在驅動電路上增強驅動能力,常使用圖騰柱電路增加電源IC驅動能力,其電路如下圖虛線框所示。


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图2 图腾柱驱动MOS



這種驅動電路作用在于,提升電流提供能力,迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間,但是減少了關斷時間,開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。


(三)驅動電路加速MOS管關斷時間

開關電源mos管型號

图3 加速MOS关断


關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放,保證開關管能快速關斷。爲使柵源極間電容電壓的快速泄放,常在驅動電阻上並聯一個電阻和一個二極管,如圖2所示,其中D1常用的是快恢複二極管。這使關斷時間減小,同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大,把電源IC給燒掉。


開關電源mos管型號

图4 改进型加速MOS关断


在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时,对图 2中电路改进可以加速MOS管关断时间,得到如图 4所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,达到最短时间内把电荷放完,最大限度减小关断时的交叉损耗。与图 3拓扑相比较,还有一个好处,就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC,提高了可靠性。


(四)驅動電路加速MOS管關斷時間


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图5 隔离驱动


爲了滿足如圖所示高端MOS管的驅動,經常會采用變壓器驅動,有時爲了滿足安全隔離也使用變壓器驅動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。


(五)當源極輸出爲高電壓時的驅動

當源極輸出爲高電壓的情況時,我們需要采用偏置電路達到電路工作的目的,既我們以源極爲參考點,搭建偏置電路,驅動電壓在兩個電壓之間波動,驅動電壓偏差由低電壓提供,如下圖


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图6 源极输出为高电压时的驱动电路


除了以上驅動電路之外,還有很多其它形式的驅動電路。對于各種各樣的驅動電路並沒有一種驅動電路是最好的,只有結合具體應用,選擇最合適的驅動。


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