mos管規格書參數詳解
mos管規格書參數詳解之读懂每一个mos管参数
在了解mos管規格書參數詳解之前,先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明,mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数,每个详细参数如下:
Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般爲:-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結溫,通常爲150度和175度
Tstg---------------最大存儲溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重複雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流
Igss---------------GS驅動電流,nA級的電流.
gfs----------------跨導
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr----------------上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off)----------关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf-----------------下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间
Ciss---------------输入电容,Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------输出电容,Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.
mos管規格書參數詳解说明
(一)
說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。
影響:超過的話會讓MOSFET損壞。
(二)
說明:ID的漏電流。
測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響:漏電流越大功耗越大。
(三)
)
說明:柵極漏電流
測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。
(四)
說明:開啓電壓
測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮範圍值。
(五)
說明:完全開啓,漏極和源極兩端最大過電流30A,
測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮範圍值。
(六)
說明:導通時,Vds的內阻
測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內阻。
影響:內阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。
(七)
說明:跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,
跨導:
线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ,其中g是常数系数。系数g称作跨导(或转移电导),具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。
在MOS管中,跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上,跨導爲曲線的斜率。
(八)
說明:MOS管體二極管的正向導通壓降
測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。
(九)
說明:體二極管可承受最大連續續電流
測試條件:
影響:如果偏小,在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風險
(十)
說明:
Ciss=Cgs+Cgd 输入电容
Coss=Cds+Cgd 输出电容
Crss=Cgd(米勒電容)
影響:Ciss:影響到MOS管的開關時間,Ciss越大,同樣驅動能力下,開通和關斷時間就越慢,開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI
Coss和Crss:這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。
(十一)
說明:
Qg:柵極總充電電量
Qgs:柵極充電電量
Qgd:柵極充電電量
tD(on):漏源導通延遲時間
tr:漏源電路上升時間
tD(off):漏源關斷延遲時間
tf:漏源電路下降時間
影響:參數與時間相互關聯的參數,開關速度越快對應的優點是開關損耗越小,效率高,溫升低,對應的缺點是EMI特性差,MOSFET關斷尖峰過高。
mos管規格書參數詳解-MOS管发热分析
1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
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