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mos管規格書參數詳解-图文读懂MOS管规格书每一个MOS参数-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-02 

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mos管規格書參數詳解

mos管規格書參數詳解之读懂每一个mos管参数

在了解mos管規格書參數詳解之前,先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明,mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数,每个详细参数如下:


mos管規格書參數詳解


Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻

Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

Vgs----------------最大GS電壓.一般爲:-40V~+40V

Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系

Pd-----------------最大耗散功率

Tj------------------最大工作結溫,通常爲150度和175度

Tstg---------------最大存儲溫度

Iar-----------------雪崩電流

Ear---------------重複雪崩擊穿能量

Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量

BVdss------------DS擊穿電壓

Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流

Igss---------------GS驅動電流,nA級的電流.

gfs----------------跨導

Qg----------------G總充電電量

Qgs--------------GS充電電量

Qgd-------------GD充電電量

Td(on)---------導通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

Tr----------------上升时间,输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

Td(off)----------关断延迟时间,输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

Tf-----------------下降时间,输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间

Ciss---------------输入电容,Ciss=Cgd + Cgs.

Coss--------------输出电容,Coss=Cds +Cgd.

Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.


mos管規格書參數詳解


mos管規格書參數詳解说明

(一)

mos管規格書參數詳解

說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。

測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。

影響:超過的話會讓MOSFET損壞。


(二)

mos管規格書參數詳解

說明:ID的漏電流。

測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。

影響:漏電流越大功耗越大。


(三)

mos管規格書參數詳解

說明:柵極漏電流

測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。


(四)

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說明:開啓電壓

測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮範圍值。


(五)

mos管規格書參數詳解

說明:完全開啓,漏極和源極兩端最大過電流30A,

測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時需要考慮範圍值。


(六)

mos管規格書參數詳解

說明:導通時,Vds的內阻

測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內阻。

影響:內阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。


(七)

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說明:跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,

跨導:

线性压控电流源的性质可表示为方程 I=gV ,其中g是常数系数。系数g称作跨导(或转移电导),具有与电导相同的单位。 这个电路单元通常指放大器。

在MOS管中,跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上,跨導爲曲線的斜率。


(八)

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說明:MOS管體二極管的正向導通壓降

測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。


(九)

mos管規格書參數詳解

說明:體二極管可承受最大連續續電流

測試條件:

影響:如果偏小,在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風險


(十)

mos管規格書參數詳解

說明:

Ciss=Cgs+Cgd 输入电容

Coss=Cds+Cgd 输出电容

Crss=Cgd(米勒電容)

影響:Ciss:影響到MOS管的開關時間,Ciss越大,同樣驅動能力下,開通和關斷時間就越慢,開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI

Coss和Crss:這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。


(十一)

mos管規格書參數詳解

說明:    

Qg:柵極總充電電量

Qgs:柵極充電電量

Qgd:柵極充電電量

tD(on):漏源導通延遲時間

tr:漏源電路上升時間

tD(off):漏源關斷延遲時間

tf:漏源電路下降時間

影響:參數與時間相互關聯的參數,開關速度越快對應的優點是開關損耗越小,效率高,溫升低,對應的缺點是EMI特性差,MOSFET關斷尖峰過高。


mos管規格書參數詳解-MOS管发热分析

mos管規格書參數詳解

1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。


2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。


3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

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