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國産高壓MOS管专业制造-國産高壓MOS管选型表|封装|价格-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-03-28 

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國産高壓MOS管

國産高壓MOS管公司简介

深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端穩壓管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


國産高壓MOS管


KIA半导体,已经拥有了独立的研發中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户應用領域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。


國産高壓MOS管


强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


國産高壓MOS管


KIA半導體的産品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于産品的精細化與革新,力求爲客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技産品。


國産高壓MOS管


KIA半导体國産高壓MOS管产品

專注于功率半導體開發得基礎,在2007年KIA在韓國浦項工科大學內擁有了專業合作設計研發團隊得8英寸VD-MOS晶圓廠。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列産品,可以提供樣品,以及有多種封裝SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封裝是與國內一流封裝廠家合作。


國産高壓MOS管


KIA半導體包裝展示圖:


國産高壓MOS管



國産高壓MOS管产品特点

(1)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩定性較好


(2)場效應管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大


(3)場效應管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID


(4)它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數


(5)場效應管的抗辐射能力强


(6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低


國産高壓MOS管选型手册

國産高壓MOS管型号表如下:


Part Numbe

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KIA6035A

11

350

0.38

0.48

844

KNX4540A

6

400

0.8

1

490

KNX6140A

10

400

0.35

0.5

1254

KIA5N50H

5

500

1.25

1.5

525

KIA840S

8

500

0.7

0.9

960

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

KNX4850A

9

500

0.7

0.9

960

KNX6450A

13

500

0.4

0.48

2149

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

KIA24N50H

24

500

0.16

0.2

3500

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

KNH8150A

30

500

0.15

0.2

4150

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

KIA5N60E

4.5

600

2

2.5

780

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

KNX4760A

8

600

0.85

1.1

1250

KIA10N60H

9.5

600

0.6

0.73

1570

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

KNX7160A

20

600

0.35

0.45

2800

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

KIA7N65H

7

650

1.2

1.4

1000

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

KIA10N65H

10

650

0.65

0.75

1650

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

KIA12N65H

12

650

0.63

0.75

1850

KIA6N70H

5.8

700

1.8

2.3

650

KIA7N80H

7

800

1.4

1.9

1300

KIA10N80H

10

800

0.85

1.1

2230

KIA9N90S

9

900

1.05

1.4

2780

KNL42150A

2.8

1500

6.5

9

1500


MOS管發熱分析

1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。


2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發熱也加大了。


3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。


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