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60V 80V 低壓MOS管选型表-低壓MOS管原厂 性价比高 质量好-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-03-27 

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60V,80V,低壓MOS管

低壓MOS管

MOS管導通電阻小,可以降低導通時的功耗。但無論什麽元件器件,追求某項指標必會影響其它指標。以MOS管來說,高耐壓與低電阻是矛盾的,不可兼得,所以不能說導通電阻越小越好,因爲這是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導通電阻也就越小。


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60V 80V 低壓MOS管选型手册

60V 80V 低壓MOS管选型表如下:


Part Numbe

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KIA30N06B

25

60

0.025

0.03

1345

KNX8606A

35

60

0.012

0.02

2423

KIA50N06B

50

60

0.0105

0.012

2060

KIA50N06C

50

60

0.009

0.012

2180

KNX3706A

50

60

0.009

0.012

2180

KIA3506A

70

60

0.0065

0.008

3483

KNX3406A

80

60

0.0065

0.0085

6050

KNX3306A

80

60

0.007

0.0085

3390

KNX3306B

80

60

0.007

0.008

3080

KNX3206A

110

60

0.0065

0.008

3400

KIA3205S

130

60

0.0055

0.007

3100

KIA2906A

130

60

0.0055

0.007

3100

KIA2806A

160

60

0.0035

0.0045

4376

KNX1906B

230

60

0.0027

0.0035

6110

KNX3508A

70

80

0.0095

0.011

2900

KNX3308A

80

80

0.0062

0.009

3110

KNX3308B

80

80

0.0072

0.009

3650

KIA75NF75

80

80

0.007

0.009

3110

KNX2808A

150

80

0.004

0.005

6109

KNX2708A

160

80

0.004

0.0048

9300

KNC2208A

200

80

0.0035

0.004

6109

KNX3208A

100

85

0.0065

0.008

3420

KNX2908A

130

85

0.005

0.006

5000


60V 80V 低壓MOS管封装大全

60V 80V 低壓MOS管封装是与国内一流封装厂家合作。


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低壓MOS管的作用

1.可应用于放大。由于場效應管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。


2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。


3.可以用作可變電阻。


4.可以方便地用作恒流源。


5.可以用作電子開關。


6.在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配。


mos管三個極分別是什麽及判定方法

mos管的三個極分別是:G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導通。


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1.判斷柵極G

MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,MOS管發燒嚴峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅動能力不夠,將嚴峻影響波形跳變的時間。


將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應爲幾歐至十幾歐。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,並且交換表筆後仍爲無限大,則證實此腳爲G極,由于它和另外兩個管腳是絕緣的。


2.判斷源極S、漏極D

將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般爲幾千歐至十幾千歐)的一次爲正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因爲測試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。


3.丈量漏-源通態電阻RDS(on)

在源-漏之間有一個PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。


測試步驟:

MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。


其步驟如下:

假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。


1、把連接柵極和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻後表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好


2、然後一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,假如指針立刻返回無限大,則MOS完好。


3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應該是無限大。


4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然後把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,産生柵極電場,因爲電場産生導致導電溝道致使漏極和源極導通,故萬用表指針偏轉,偏轉的角度大,放電性越好。


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