高壓大功率MOS管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認爲是對稱的。
一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体場效應管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
高壓大功率MOS管原厂概述
高壓大功率MOS管原厂介绍，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端穩壓管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA半導體的産品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于産品的精細化與革新，力求爲客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技産品。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为場效應管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
KIA半导体高壓大功率MOS管产品特点
（1）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好
（2）場效應管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大
（3）場效應管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數
（5）場效應管的抗辐射能力强
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低
高壓大功率MOS管选型表
以下是KIA推荐的高壓大功率MOS管型号，如有需要请聯系我們，我们将竭诚为您服务。
|
Part Numbe
|
ID（A）
|
BVDSS（v）
|
Typical
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
MAX
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
ciss
|
|
pF
|
|
KNX9120A
|
40
|
200
|
0.05
|
0.065
|
2800
|
|
KNX9130A
|
40
|
300
|
0.11
|
0.13
|
3100
|
|
KNX3730A
|
50
|
300
|
0.05
|
0.065
|
3400
|
|
KIA5N50H
|
5
|
500
|
1.25
|
1.5
|
525
|
|
KIA840S
|
8
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KIA4750S
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX4850A
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX6450A
|
13
|
500
|
0.4
|
0.48
|
2149
|
|
KNX6650A
|
15
|
500
|
0.33
|
0.45
|
2148
|
|
KIA18N50H
|
18
|
500
|
0.25
|
0.32
|
2500
|
|
KIA20N50H
|
20
|
500
|
0.21
|
0.26
|
2700
|
|
KIA24N50H
|
24
|
500
|
0.16
|
0.2
|
3500
|
|
KNX7650A
|
25
|
500
|
0.17
|
0.21
|
4280
|
|
KNH8150A
|
30
|
500
|
0.15
|
0.2
|
4150
|
|
KIA10N80H
|
10
|
800
|
0.85
|
1.1
|
2230
|
高壓大功率MOS管封装图
我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列産品，可以提供樣品，以及有多種封裝SOT-89、TO-92、262、263、251、220F、TO-3P、TO-3PF等，下面就列出了幾個常用的封裝外觀圖。
（一）TO-220
（二）TO-3P
（三）TO-220F
（四）TO-252
（五）TO-263
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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