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DFN5*6 DFN3*3封裝外观尺寸图及选型表-MOS管原厂供货 免费送样-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-01-18 

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DFN5*6 DFN3*3

MOS管封裝形式

本文主要是讲述DFN5*6 DFN3*3 MOS管封裝详情及型号,如有需要请聯系我們,我们将竭诚为您服务。MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分,MOS管封裝主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。


MOS管的作用是什麽

MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。


DFN封裝

DFN/QFN是一种最新的的电子封裝工艺,ON Semiconductor公司的各种元器件都采用了先进的双边或方形扁平无铅封裝(DFN/QFN)。


DFN/QFN平台是最新的表面贴装封裝技术。印刷电路板(PCB)的安装垫、阻焊层和模版样式设计以及组装过程,都需要遵循相应的原则。 DFN/QFN封裝概述 DFN/QFN平台具有多功能性,可以让一个或多个半导体器件在无铅封裝内连接。下图就展示出了这一封裝的灵活性。


DFN封裝的制作方法

DFN5*6,DFN3*3


本实用新型涉及电子封裝领域,更具体地说它涉及一种DFN封裝。


现阶段MOS管封裝内阻相对较高,散热差。利用新型的超薄DFN封裝结构可以大大降低内阻,散热性能得到大幅度提升,應用領域更为广泛。


目前,现有技术中申请号为申请公布号为 CN102842550A的中国专利文件公开了一种功率MOSFET芯片的DFN封裝结构,其通过设置散热区然后在散热区与芯片之间设置软焊料层连接从而将芯片上热量导出散热。


該現有技術主要通過與外界的環境接觸進行散熱,但是該現有技術的散熱結構與外界接觸的面積有限因此散熱性能較爲一般。


DFN5*6封裝尺寸外觀圖

DFN5*6,DFN3*3

DFN5*6封裝型號

Part Numbe

IDA

VDSSv

RDS(Ω)MAX

RDS(Ω)TYP

ciss

pF

KIA100N03A

90

30

0.004

0.0031

2200

KNY3303A

90

30

0.004

0.0031

2200

KNY3103A

110

30

0.0026

0.0019

3650



DFN3*3封裝尺寸及外觀圖

DFN5*6,DFN3*3


DFN5*6與DFN3*3封裝MOS管廠家

DFN5*6與DFN3*3封裝MOS管廠家,KIA半导体开启了前行之路,注册资金1000万,办公区域达1200平方,已经拥有了独立的研發中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户應用領域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。

DFN5*6,DFN3*3


强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项場效應管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。

DFN5*6,DFN3*3


KIA半導體的産品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于産品的精細化與革新,力求爲客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技産品。

DFN5*6,DFN3*3


从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为場效應管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!

DFN5*6,DFN3*3



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