MOS管3706産品特征
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮氣保護
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應衰減
高級高密度槽技術
MOS管3706産品概述
KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求，100%EAS保证功能的可靠性得到认可。而且KIA半导体10几年一直追求品质第一的生产理念。
MOS管3706封裝引腳圖
MOS管3706産品參數
型號：KNX3706A
電流：50A
電壓：60V
漏源极電壓：60V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：100A
單脈沖雪崩能：72.2MJ
雪崩電流：38A
接頭和儲存溫度範圍：-55℃至150℃
KNX3706A MOS管产品附件详情
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