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高压MOS管7N80H 7A/800V 价格、供應商及参数资料 免费送样-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-01-08 

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高壓MOS管7N80H産品描述

此功率MOSFET是采用SL半高級平面條紋DMOS工藝生産的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻,提供了優越的性能開關性能好,在雪崩和整流模式下能夠承受高能量的脈沖。這些是適用于高效率的開關電源,有功功率因數校正基于半橋拓撲。


高壓MOS管7N80H特征詳情

RDS(on)=1.4ωVGS=10V

低柵電荷(典型的27Nc)

高韌性

快速切換

100%雪崩試驗

改進的dv/dt性能


高壓MOS管7N80H封裝與引腳圖

高压MOS管,7N80H,7A/800V


高壓MOS管7N80H主要參數資料

型號:KIA7N80H

工作方式:7A/800V

漏源極電壓:800V

柵源電壓:±30V

二極管峰值恢複:4.5V/ns

運行和儲存溫度範圍:-55℃至+150℃


高壓MOS管7N80H測試電路和波形特征

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高压MOS管7N80H PDF详情

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