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KIA35P10A替代CMD5950规格书 厂家直销-低内阻 雪崩冲击小-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-12-26 

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KIA35P10A替代CMD5950

KIA35P10A 产品描述

KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,提供优良的RDS(ON)和栅极。用于各种各样的应用中的电荷。KIA35P10A满足RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证全功能可靠性批准。


KIA35P10A 产品特征

RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V

100% EAS保证

可用綠色設備

超低柵電荷

優良的CDV/DT效應下降

先進的高密度溝槽技術


KIA35P10A參數範圍

産品型號:KIA35P10A

工作方式:-35A /-100V

漏源電壓:-100V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:-35A

脈沖漏極電流:-100A

雪崩電流:28A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

熱電阻:62℃/V

漏源擊穿電壓:-100V

柵極阈值電壓:-1.2V

輸入電容:4920PF

輸出電容:223PF

上升時間:32.2ns


KIA35P10A封裝

KIA35P10A,CMD5950


KIA35P10A規格書

查看詳情,請點擊下圖。

KIA35P10A,CMD5950


CMD5950參數概述

CMD5950采用先進的溝槽技術和設計,提供優良的低門電荷RDS(on),它可用于多種用途。


CMD5950特征

P溝道

低電阻

快速切換100%

雪崩測試


CMD5950參數

漏源电压:-100 V

柵源電壓:20V

連續漏電流:-35a

脈沖漏極電流:-105a

雪崩电流:- 35 A

總功耗:50w

储存温度范围:- 55至150

工作結溫度範圍:150℃


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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