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MOS管为什么会静电击穿详解及MOS管击穿原因与解决方案-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-12-05 

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MOS管靜電擊穿

關于穿通擊穿,有以下一些特征

(1)穿通擊穿的擊穿點軟,擊穿過程中,電流有逐漸增大的特征,這是因爲耗盡層擴展較寬,發生電流較大。另一方面,耗盡層展廣大容易發生DIBL效應,使源襯底結正偏呈現電流逐漸增大的特征。


(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此刻源端的载流子注入到耗尽层中, 被耗尽层中的电场加快到达漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如不作限流,雪崩击穿的电流要大。


(3)穿通擊穿一般不會呈現破壞性擊穿。因爲穿通擊穿場強沒有到達雪崩擊穿的場強,不會發生許多電子空穴對。


(4)穿通擊穿一般發生在溝道體內,溝道外表不容易發生穿通,這主要是因爲溝道注入使外表濃度比濃度大構成,所以,對NMOS管一般都有防穿通注入。


(5)一般的,鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大,所以穿通擊穿一般發生在溝道中心。


(6)多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的,跟著柵長度添加,擊穿增大。而對雪崩擊穿,嚴格來說也有影響,可是沒有那麽明顯。

MOS管靜電擊穿,MOS管击穿


MOS管靜電擊穿的影响因素

MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞),又因在靜電較強的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣,有很高的輸入電阻,只是MOS管的輸入電阻更高。


靜電放電形成的是短時大電流,放電脈沖的時間常數遠小于器件散熱的時間常數。因此,當靜電放電電流通過面積很小的pn結或肖特基結時,將産生很大的瞬間功率密度,形成局部過熱,有可能使局部結溫達到甚至超過材料的本征溫度(如矽的熔點1415℃),使結區局部或多處熔化導致pn結短路,器件徹底失效。這種失效的發生與否,主要取決于器件內部區域的功率密度,功率密度越小,說明器件越不易受到損傷。


反偏pn結比正偏pn結更容易發生熱致失效,在反偏條件下使結損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因爲反偏時,大部分功率消耗在結區中心,而正偏時,則多消耗在結區外的體電阻上。對于雙極器件,通常發射結的面積比其它結的面積都小,而且結面也比其它結更靠近表面,所以常常觀察到的是發射結的退化。此外,擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(如JFET的柵結),比類似尺寸的常規pn結對靜電放電更加敏感。


所有的東西是相對的,不是絕對的,MOS管只是相對其它的器件要敏感些,ESD有一個很大的特點就是隨機性,並不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。另外,就算是産生ESD,也不一定會把管子擊穿。靜電的基本物理特征爲:(1)有吸引或排斥的力量;(2)有電場存在,與大地有電位差;(3)會産生放電電流。這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響:(1)元件吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響元件的功能和壽命;(2)因電場或電流破壞元件絕緣層和導體,使元件不能工作(完全破壞);(3)因瞬間的電場軟擊穿或電流産生過熱,使元件受傷,雖然仍能工作,但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一,三兩種情況,並不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生産及品質測試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測試中不易被發現,在這種情形下,常會因經過多次加工,甚至已在使用時,才被發現破壞,不但檢查不易,而且損失亦難以預測。靜電對電子元件産生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失。


電子元件及産品在什麽情況下會遭受靜電破壞?可以這麽說:電子産品從生産到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯、包裝運輸直至産品應用,都在靜電的威脅之下。在整個電子産品生産過程中,每一個階段中的每一個小步驟,靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞,而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸的過程。在這個過程中,運輸因移動容易暴露在外界電場(如經過高壓設備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等)産生靜電而受到破壞,所以傳送與運輸過程需要特別注意,以減少損失,避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩壓管保護。


現在的mos管沒有那麽容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大,感應不出高壓。與幹燥的北方不同,南方潮濕不易産生靜電。還有就是現在大多數CMOS器件內部已經增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。


MOS管擊穿的原因及解決方案

第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又十分小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少數電荷就可在極間電容上構成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護措施,但仍需當心對待,在存儲和運送中最好用金屬容器或許導電資料包裝,不要放在易發生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。


拼裝、調試時,東西、外表、工作台等均應傑出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對器材引線矯直曲折或人工焊接時,運用的設備有必要傑出接地。


第二、MOS电路输入端的维护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能呈现过大瞬态输入电流(超越10mA)时,应串接输入维护电阻。而129#在初期设计时没有参加维护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而经过替换一个内部有维护电阻的MOS管应可避免此种失效的发生。还有因为维护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去效果。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地,以防漏电击穿器材输入端,一般运用时,可断电后使用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。


MOS是電壓驅動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導通,外部攪擾信號對G-S結電容充電,這個細小的電荷能夠貯存很長時刻。在實驗中G懸空很風險,許多就因爲這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路攪擾信號就不會直通了,一般能夠10~20K。


这个电阻称为栅极电阻。效果1:为場效應管供给偏置电压;效果2:起到泻放电阻的效果(维护栅极G~源极S)。榜首个效果好了解,这儿解释一下第二个效果的原理:维护栅极G~源极S:場效應管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少数的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压,如果不及时把这些少数的静电泻放掉,他两头的高压就有可能使場效應管发生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,然后起到了维护場效應管的效果。


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